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昨天（8.26），國產半導體氮化鎵激光芯片在六安實現量產，距離它在實驗室里誕生，僅用了180天。安徽臺記者汪菲，六安臺記者陳濤報道：
昨天下午，國產半導體氮化鎵激光芯片量產新聞發(fā)布會在六安舉行。半導體發(fā)光學家、中國科學院院士江風益在現場由衷地鼓掌，他說：【出錄音】達到量產，這是很重要的一步，哎呀，十分不容易。這個突破是可喜可賀的，對我們國家光電子器件的高質量發(fā)展是有象征性的重要意義。
氮化鎵是第三代半導體材料，其最大特點為禁帶寬度大，具有直接發(fā)光、高效率、低成本、易集成的優(yōu)勢，制成的下一代光電子芯片主要應用于激光顯示、工業(yè)加工、激光通訊、激光醫(yī)療等眾多領域。我國從事相關研究已有30多年歷史，相關高校和研究院所在單元技術方面也取得了一些突破，但都處于研發(fā)階段。目前，國內企業(yè)的需求全部依賴進口。
中國科學院院士江風益：【出錄音】如果國內不能實現自主可控的話，這種高技術產品就長期就會受制于人。不光是激光器，后面的應用產業(yè)發(fā)展（都）將受制于人。
機遇與挑戰(zhàn)并存。六安市在先期半導體產業(yè)布局的基礎上，集中優(yōu)勢資源力量，支持、引導企業(yè)開展技術攻關。今年2月25號，具有完全自主知識產權的國產半導體氮化鎵激光芯片在安徽格恩半導體有限公司的實驗室里誕生。
安徽格恩半導體有限公司副總經理張江勇：【出錄音】氮化鎵這個材料比較特殊，密度非常高，硬度僅次于金剛石，特別難處理。另外一個就是在封裝層面也有不成熟的地方，這些都是阻礙它發(fā)展的原因。我們克服材料生長、芯片制作、封裝測試這些技術難點，來獲得這個高品質的材料，最后把它做成一個激光二極管。
180天后，國產半導體氮化鎵激光芯片走出實驗室，走上生產線，正式實現量產，實現了國產化替代。
來源：安徽廣播電視臺綜合廣播
